核心观点
　　事件：TrendForce全面上修第一季DRAM、NANDFlash各产品价格季成长幅度。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%改为上涨90-95%，NANDFlash合约价则从季增33-38%上调至55-60%。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）
　　 AI算力需求强劲带动存储紧缺。部分投资者担忧消费电子需求可能承压，影响存储需求。但我们认为，AI算力等相关需求在存储需求中逐步占据主导地位，带动存储紧缺持续。DRAM方面，在服务器DRAM上北美及国内各大云端服务业者(CSP)和OEM持续和存储器原厂洽谈年度DRAMLTA (long-term agreement)供应量。由于买方积极竞逐原厂供给，将带动第一季Server DRAM价格上涨约90%，幅度创历年之最。NAND方面，随着推理AI应用场景扩大，市场对高效能储存设备的需求远高于预期，北美各大CSP自2025年底起开始强力拉货，刺激Enterprise SSD订单爆发。在供给缺口持续扩大的情况下，买方激进囤货以尽早补足库存，推升2026年第一季Enterprise SSD价格将季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录。
　　 AI对存储的需求增量有望被持续挖掘。AI推理过程将使得数据中心存储结构发生较大变化，有望持续提升对活跃数据存储的需求。CES 2026上英伟达推出推理上下文内存存储平台，闪迪预计相关设计在27年有望带来额外的75-100EB的存储需求增量，并在28年进一步翻倍。除英伟达外，头部AI应用商及大模型厂商也有望推动以强化存储能力的方式提升用户体验，例如Anthropic有望在Claude Cowork中为知识库注入永久记忆，目前已有开发者在Claude上开发扩展能力以实现长期记忆，使其能从历史对话中找到最相关的前文。展望未来，AI推理对于存储的增量需求仍将持续被挖掘，面向服务器的DRAM和NAND等整体需求有望持续高速增长。
　　利基存储产能受主流存储挤压，有望保持紧缺态势。我们认为，NORFlash、MLC/SLCNANDFlash等利基存储有望保持紧缺态势。从需求侧来看，利基存储不仅是存量市场，更是增量市场，有望随着端侧AI及AI算力需求获得需求增量。从供给侧来看，利基存储产能持续被主流存储挤压，国际主要供应商正退出或减少利基存储生产，以聚焦主流存储产品，导致利基存储产品供给大幅收敛。以MLCNANDFlash为例，根据TrendForce，该市场正因供给收缩而步入紧缺，2026年全球产能将大幅年减41.7%。相应地，NORFlash等其他利基存储的供给也持续受到挤压。根据TrendForce，旺宏已减少原有NORFlash产能，以扩大MLCNANDFlash供应。整体来看，NORFlash、MLC/SLCNANDFlash等利基存储产能持续被主流存储挤压，涨价有望持续。
　　投资建议与投资标的
　　AI算力需求拉动，存储紧缺持续。相关标的：国内存储芯片设计厂商兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份、北京君正、恒烁股份等；国产存储模组厂商江波龙、德明利、佰维存储等；受益存储技术迭代的澜起科技、联芸科技、翱捷科技等；半导体设备企业中微公司、精智达、京仪装备、微导纳米、拓荆科技、北方华创等；国内封测企业深科技、汇成股份、通富微电等；配套逻辑芯片厂商晶合集成等。
　　风险提示
　　AI落地不及预期，技术迭代速度不及预期，国产化进展不及预期